MIT yeni tranzistor dizaynı ilə elektronikada qaydaları dəyişə bilər- ÖZƏL

Olaylar.az donanımhabet.com-a istinadən xəbət verir ki, MIT (Massaçusets Texnologiya İnstitutu) tədqiqatçıları tərəfindən hazırlanmış ferroelektrik material vasitəsilə elektronikada inqilab edə biləcək yeni tranzistor yaradılıb.

Bir neçə il əvvəl MIT (Massaçusets Texnologiya İnstitutu) tədqiqatçıları ultra nazik ferroelektrik material və ya müsbət və mənfi yüklərin müxtəlif təbəqələrə ayrıldığı material hazırlayıblar. İndi həmin komanda tərəfindən bu materialdan istifadə edərək yeni tranzistor hazırlanıb. Tədqiqatçılar bunun elektronika sənayesində köklü dəyişiklik edə biləcəyinə diqqət çəkirlər.

Tədqiqatçılardan biri olan fizika professoru Raymond Ashoori verdiyi açıqlamada: "Mən fizikadakı bütün karyeramı düşünəndə bu, 10-20 il sonra dünyanı dəyişə biləcəyini düşündüyüm işdir" dedi. Komanda bildirir ki, onların nəticələri laboratoriyada tək bir tranzistora əsaslansa da, onlar bir neçə aspektdə indiki ferroelektrik tranzistorları üstələyə bilər.

Digər tərəfdən, tranzistorun görkəmli xüsusiyyətlərindən biri onun müsbət və mənfi yüklər arasında çox yüksək sürətlə, nanosaniyəlik zaman şkalasında keçid etmək qabiliyyətidir. Bununla belə, yeni tranzistorun son dərəcə davamlı olduğu və hətta 100 milyard keçid dövründən sonra heç bir deqradasiya göstərmədiyi bildirilir.

Bunları mümkün edən materialın qalınlığı metrin milyardda biri qədərdir, yəni o, dünyada öz növünün ən naziklərindən biridir. Bu, daha sıx saxlama imkanı verir. Material enerji səmərəliliyi baxımından da üstünlüyə malikdir. Çünki keçid üçün tələb olunan gərginlik materialın qalınlığı ilə düz mütənasibdir. İncəlik artarsa, enerji istehlakı azalmağa meyllidir.

Ferroelektrik materiallarda müsbət və mənfi yüklər kortəbii olaraq müxtəlif tərəflərə və ya qütblərə işarə edir. Xarici elektrik sahəsi tətbiq edildikdə, bu yüklər qütbləşməni tərsinə çevirərək tərəfləri dəyişir. Dəyişən polarizasiya rəqəmsal məlumatları kodlaşdırmaq üçün istifadə edilə bilər. Bundan əlavə, bu materiallarda məlumatlar daimi olaraq qorunub saxlanıla bilər və elektrik sahəsi tətbiq edilmədikcə dəyişdirilə bilməz. Ancaq bütün bunlar otaq temperaturunda baş verməlidir və bu, aradan qaldırılması lazım olan bir məsələdir

MIT komandası tərəfindən hazırlanmış ferroelektrik material bir-birinə paralel yığılmış atomik nazik bor nitridi təbəqələrinə əsaslanır. Bu quruluşa elektrik sahəsi tətbiq edildikdə, bor və azot atomlarının mövqeləri bir az dəyişir, sanki bir-birlərinin üzərində sürüşürlər. Bu prosesdə heç bir deqradasiya baş vermir və dəyişikliklər 100 milyard dəfə tətbiq oluna bilər. Məlum olduğu kimi, ənənəvi flash yaddaşlarda hər dəfə məlumat yazılan və silinən zaman bəzi pozğunluqlar baş verir. Bunun qarşısını almaq və aradan qaldırmaq üçün kompleks üsullardan istifadə olunur. Yeni material bunları aradan qaldırır.

Görünən sonsuz potensialına baxmayaraq, texnologiyanın geniş şəkildə tətbiq edilməsindən əvvəl həll edilməli olan bəzi problemlər var. Bunlardan biri də istehsaldır. Komanda sınaq və araşdırma aparmaq üçün yalnız bir tranzistor istehsal etdi. Tədqiqat qrupu həmçinin optik impulslar kimi alternativ üsullarla ferroelektrik enerjinin tetiklenmesini və digər imkanlar arasında materialın keçid imkanlarının hədlərini sınaqdan keçirir.