Dünyada ilk 5 nanometrlik tranzistor təqdim edilib

ABŞ-ın “IBM” korporasiyası “GlobalFoundries” və Cənubi Koreyanın “Samsung” şirkəti ilə əməkdaşlıq çərçivəsində 5 nanometrlik (nm) mikrosxemlər üçün ilk tranzistor hazırlayıb.

ABŞ-ın "IBM" korporasiyası "GlobalFoundries" və Cənubi Koreyanın "Samsung" şirkəti ilə əməkdaşlıq çərçivəsində 5 nanometrlik (nm) mikrosxemlər üçün ilk tranzistor hazırlayıb. Yeni texnologiya insan dırnağı ölçüsündə olan çipdə 30 milyardadək tranzistor yerləşdirməyə və ondan ən müxtəlif qurğularda istifadəyə imkan verir. Müqayisə üçün, şirkət tərəfindən 2 il əvvəl təqdim edilmiş dünyada ilk 7 nm-lik çiplər 20 milyard tranzistordan ibarət olub.

Şirkətin məlumatına görə, mikrosxemdə yerləşdirilmiş tranzistorların daha yüksək sıxlığı onlar arasında ötürülən siqnalın sürətini artırır. "IBM" şirkətinin nümayəndələri qeyd ediblər ki, 5 nm-lik həllər indiki 10 nm-lik həllərdən 40% daha məhsuldar və enerji cəhətdən 75% səmərəlidir. Məsələn, smartfonlarda yeni çiplərin tətbiqi perspektivdə qurğuların avtonom işləmə vaxtını 2-3 dəfə artırmağa imkan verəcək.

5 nm-lik çiplərin kütləvi istehsal tarixi dəqiq məlum deyil. Təxmin edilir ki, belə çiplər 2020-ci ildə bazara çıxarılacaq. "ICTnews" Elektron Xəbər Xidməti "hitech.newsru.ru" saytına istinadən xəbər verir.